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常溫超薄切片操作步驟

發(fā)布日期:2012-07-23 瀏覽數(shù):962

材料的超薄切片制樣方法主要分為硬材料的室溫切片過程和軟材料的冷凍切片過程兩大類。而對(duì)于硬材料中的薄膜、多層膜以及半導(dǎo)體等材料而言,如何確定材料中的介面方向是非常重要的,對(duì)于軟材料的冷凍切片過程而言,確定適當(dāng)?shù)那衅瑴囟仁亲钪匾?。以下將以薄膜材料和聚合物為例,分別介紹室溫切片以及冷凍切片的技術(shù)原理。


對(duì)于一般無特殊要求(如介面取向等)只需觀察形貌的材料而言,其切片過程相對(duì)簡單。而薄膜材料的超薄切片過程中確定材料所要觀察區(qū)域即介面的方向是至關(guān)重要的,其操作步驟如下:


1)刮開測(cè)試鍍層的背面·讓感興趣的區(qū)域顯露出來。


2)獲得臺(tái)階狀微樣品,形成于新鮮的劈裂邊緣或自然邊緣。

在接近于鍍層表面處壓入一個(gè)尖銳的硬質(zhì)合金針尖;

直接用力將針尖朝表面方向用力形成一個(gè)臺(tái)階狀薄膜「微樣品」直徑應(yīng)小于1000微米(理想直徑小于500微米)。

用一個(gè)小的新鮮矽膠切削楔來揀起和操縱這些臺(tái)階狀微樣品,更小更好取向的樣品能夠從這些臺(tái)階狀微樣品的非常薄的邊緣獲得。這些微片試樣的理想形狀是尖拱石的,其尖部非常薄。


3)通過環(huán)氧底漆處理、扁平塊狀包埋·圓形塊包埋等步驟將微樣品包埋。


4)將包埋后的樣品進(jìn)行超薄切片。


來源:

Phil Swab,Unity Semiconductor,Sunntvale,CA,USA

李小軍,上海交通大學(xué)


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